檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="李奎毅"
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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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本論文使用化學氣相傳導法分別長出1T與2H結構之二硫化鉭(TaS2)和成長二硫化錸摻雜鉭Re1-XTaXS2 (X = 0, 0.01, 0.05)系列之高品質單晶，由X射線光電子能譜儀(XPS)確…
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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本論文成功使用熱化學氣相沉積法成長六角形排列之奈米碳管束陣列，並將氮原子摻雜於奈米碳管中增強其場電子發射特性。此論文中分別使用二種方法將氮原子摻雜於奈米碳管。(1)利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管時…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…